Tecnologia desenvolvida por pesquisadores chineses combina baixa aderência ao gelo e autorreparação térmica, ampliando o potencial de aplicações industriais de longa duração.

Pesquisadores da China desenvolveram um novo revestimento de polithioureia com propriedades autosselantes e baixa tenacidade interfacial, projetado para melhorar a eficiência da remoção de gelo em grandes superfícies. A inovação busca superar uma limitação crítica de sistemas anti-icing convencionais: a perda de desempenho ao longo do tempo devido a danos mecânicos acumulados.

A tecnologia se baseia em uma rede polimérica dinâmica formada por ligações de tioureia reversíveis, capazes de se reorganizar por meio de estímulos térmicos. Esse mecanismo permite que o material se regenere após danos estruturais, recuperando suas propriedades originais de desempenho.

Segundo os pesquisadores, superfícies com baixa tenacidade interfacial facilitam o desprendimento do gelo com menor resistência. No entanto, essas estruturas tendem a se degradar em condições de uso prolongado, o que compromete sua eficácia. O novo revestimento resolve esse desafio ao integrar resistência funcional e capacidade de autorreparação em um único sistema.

Nos testes laboratoriais, o material apresentou baixa energia de adesão ao gelo e manteve desempenho consistente mesmo após múltiplos ciclos de congelamento e descongelamento. Além disso, a solução demonstrou estabilidade frente a abrasão mecânica, fluxo de água e exposição à radiação UV, reforçando sua durabilidade em ambientes exigentes.

A versatilidade do revestimento também foi destacada, com aplicação bem-sucedida em diferentes substratos, mantendo eficiência anti-icing em todos os casos avaliados. Essa combinação de propriedades posiciona a tecnologia como uma alternativa promissora para infraestrutura exposta a condições climáticas extremas.

A pesquisa aponta potencial de uso em setores como energia eólica, construção civil e aviação, onde o acúmulo de gelo representa um desafio operacional relevante e recorrente.